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集邦:DRAM明年供过于求

admin2021-11-0635

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研调机构集邦科技研究显示,2022年的DRAM产业将由供不应求转至供过于求。尽管DRAM价格将因供过于求而出现下滑,但在寡占市“shi”场型态下,整体产值并不会大幅下跌,预{yu}估2022年的DRAM总产值将达915.4亿美元,年增微幅上升0.3%,且DRAM及NAND Flash在2022年下半年有机会达到单季价格持平或上涨可能性。

集邦科技以2022年各〖ge〗季度的供过于求比例作为预测基础,预“yu”期DRAM平均销售(shou)单价将年减15%,而价格下滑幅度在上半年较{jiao}为明显;下半年起将受惠于DDR5的渗{shen}透率提升与旺季需求效应带动,均价跌幅将收敛,不排除有持平或涨价的可能性。

NAND Flash方面,2022年供给位元年增长率约31.8%,而需求位元年成长幅度为30.8%,故2022年NAND Flash价格也将受供过于求影响而有所下滑。此外,由于NAND Flash属完全竞争市场,均价下滑的幅度较DRAM更{geng}加明显,然NAND Flash在层数结构的堆叠『die』持续推进,故在供给位元成长【chang】仍维持在30%以上的情况下,预估2022年“nian”NAND Flash总产值仍有成长空【kong】间,达741.9亿美元、年增7.4%。

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同样以2022年各季度的 de[sufficiency ratio作为预测“ce”基础,推估2022年平均销售单价将年减18.0%,而价格〖ge〗下{xia}滑幅度也是在上半年度较为明显『xian』,下半年起将受惠于《yu》旺季需求效应带动,均“jun”价跌幅较为收敛,或有单季价格持平的可能性。

整体而言,集邦科技表示,DRAM与NAND Flash历年的总产值变化,由于两者竞争{zheng}型态的不同,DRAM基本上在产能扩张上【shang】较有纪律,故长期均价的波动性较小,同时20奈米以下制程微〖wei〗缩已经逐渐达到物理极限,使得年度位元成长增幅有限。

而NAND Flash在【zai】产能扩张的规划则较不稳定,再加上产品的层数仍能持续提升,故长期均价的波动性较大『da』,进而呈现DRAM产值成长幅度不及NAND Flash的态势,但获利表现方面则反之。

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